HIT中文名为异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。
异质结电池具有工艺流程短、工序少、无光致衰减等优点，光电转换效率高、性能优异、降成本空间大，平价上网前景好，是行业公认的未来电池技术解决方案。（参见华夏能源网最新报道）
近年来，我国异质结电池产能建设明显加速，据统计，国内异质结规划产能为24.5GW，其中，已建成约1.07GW。据新版国际光伏技术路线图（ITRPV）预测，HIT市场份额将从2018年的3%增长至2025年的10%，预计2028年达到28%。
是浦东实验中学还是上海市实验学校？两者都在浦东哦~~
张韶涵个人资料：
姓名：张韶涵
生日：1982年1月19日
身高：158公分
体重：35公斤
血型：A型
星座：魔羯座
出生地：中国台湾
兴趣：唱歌、听音乐、阅读、work out、Decorating house、cook、服装设计
喜欢的国家：加拿大、维也纳
想去的国家：埃及、维也纳、日本
最难忘的事：加拿大中广流行之星冠军
最讨厌的事：八卦
最烦恼的事：盗版
最想做的事：旅行
喜欢的运动：排球
最得意的事：Seeing my family going through the hardest times together
喜欢的音乐：R & B、Soul、Blue、Jazz、Raggae
最大的愿望：作一些好音乐可以诠释自己跟接触别人内心世界对音乐的感觉
出演的剧集：偶像剧《MVP情人》女主角，饰演田羽希（小希）一角；偶像剧《海豚湾恋人》女主角，饰演易天边一角
唱片歌手基本资料
本名：张韶涵
艺名：张韶涵
英文名：Angela
绰号：米粉妹
语言：国语、英文、一点点日文
学历：SIR WINSTON CHURCHILL SECONDARY SCHOOL
身高：158公分
体重：40公斤
血型：A型
个性：直接、开朗
星座：山羊座
籍贯：台湾省
出生地：台湾省
出生年月日：71年1月19日
宗教信仰：无
家庭成员：父母、一妹一弟
最爱吃的食品：生鱼片
最喜欢的动物：猫、狗
最喜欢的车子：VW热狗车
最喜欢做的事：唱歌、听音乐、看书、逛书局、吃东西、传简讯
最喜欢的国家：威尼斯、日本、新疆
最想去的国家：威尼斯、日本
最难忘的事：第一次在歌唱比赛中代表温哥华地区，回来台湾比『中广流行之星』海外组冠军
最讨厌的事：爱哭
最讨厌的动物：蟑螂
最想做的事：旅行
最烦恼的事：
最糗的事：
最喜欢的花：绣球花
最喜欢的颜色：白色、绿色、粉红色
最喜欢的运动：跑步、去健身房
最得意的事：唱歌比赛得第一名
最失意的事：当很认真做一件事情时，没有达到自己的期许
最喜欢那种异性：有内涵、开朗
害怕的反应：跨张的表情，尖叫
偶像：张惠妹、小野丽莎、Christina Arguilria
求学过程：中坜新明国小，SIR WINSTON CHURCHILL SECONDARY SCHOOL
恋爱纪录：国中初恋
婚姻对象的看法：有责任感
生气方式：不理人
收集品：衣服、手饰、流行服饰杂志
嗜好：逛街、听歌、唱歌
最好的朋友：家人
最喜欢的电影类型：Romantic、文艺
最喜欢的音乐类型：R&B、Bossa Nova
最喜欢的男歌手：NELLY
最喜欢的女歌手：张惠妹，椎名林檎
最喜欢的歌：
最喜欢的制作人：
最喜欢的专辑：Keith Jarret的钢琴专辑『Melody at night with you』
最大的愿望：可以环游世界，开一间自己的店
如何进入演艺圈：参加中广「流行之星」海外歌唱大赛得到冠军
出片大事纪∶
经历：
2002年 三立戏剧台『MVP情人』女主角饰小希(田羽希)
2003年 三立戏剧台『海豚湾恋人』女主角饰天边(易天边)
不是吧，挺好的，我去现场看的，还是很保护选手的。选手如果说特别不好的话，他们还会剪掉，挺人性化的，以免影响选手以后的发展。所以成就了一个“刘俐俐”，大家都不明白为什么所有BOSS不喜欢她。上周我去的时候，也有个类似的女的，年龄很小，觉得自己在投资方面很牛，其实BOSS们最不喜欢骄傲的人了，他们还是比较喜欢谦虚的，现场天弘基金宁辰是投资方面的专家，人众人杜葵和FESCO葛晓菲都有投资经验，她就小巫见大巫了。
HIT中文名为异质结电池，全称为“晶体硅异质结太阳能电池”，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。
异质结电池具有工艺流程短、工序少、无光致衰减等优点，光电转换效率高、性能优异、降成本空间大，平价上网前景好，是行业公认的未来电池技术解决方案。（参见华夏能源网最新报道）
近年来，我国异质结电池产能建设明显加速，据统计，国内异质结规划产能为24.5GW，其中，已建成约1.07GW。据新版国际光伏技术路线图（ITRPV）预测，HIT市场份额将从2018年的3%增长至2025年的10%，预计2028年达到28%。
HIT电池简介
HIT是Heterojunction with Intrinsic Thin-layer的缩写,意为本征薄膜异质结. HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜（膜厚5～10nm）和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夹住单结晶Si片的来构成的.
图一.
电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙 (Energy band gap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背表面有着背表面电场。
通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。
图二.
HIT电池在技术上的优势
由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结，所以能够在200℃以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（～900℃）相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23％，量产水平为20％），即使在高温下，转换效率也极少降低，利用双面单元来提高发电量。
HIT电池的伏安曲线分析:
HIT电池里p/n 异质结中所发现的正向电流特性（0.4V 附近）的变化是由于a-Si 顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si 膜（i 型a-Si 膜），通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT 构造。通过导入约5nm 左右的薄膜i 型a-Si 层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i 型a-Si 层，能够大幅度提高Voc,见下图.
图三
化学钝化和HIT 构造的寿命关系
采用μ-PCD 法测定HIT电池的少子寿命。μ-PCD 法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面，但由于是在同一批（LOT）里抽出相邻的芯片，所以可认为体（BULK）的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT 构造的钝化性能要比化学钝化（CP 法）更优异。
图四
化学钝化
HIT 太阳能电池的Voc 和寿命之间的依存性
发现通过形成低损伤的a-Si膜和提高表面的清净度等可以提高寿命和Voc，Voc 和寿命之间是一种正的线性关系。即HIT构造中的a-Si 钝化性能的好坏和HIT 太阳电池的Voc 大小相关。所以，通过提高a-Si 的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT 太阳电池的输出电压是有效的。
图五
HIT电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。
HIT 太阳电池优异的温度特性
HIT电池Voc越高输出特性的温度依存性越小。也就是说，在HIT 太阳电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发（即高Voc 化）带来了温度特性的提高.由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。
图六
HIT电池的制造工艺
HIT电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求说沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积发（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。
PECVD法制备a-Si:H薄膜
利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生了本质的变化，是一种新物质聚集态。等离子体中放置其中的衬底可以保持在室温，而电子在电厂的激发下会得到足够多的能量（2-5eV），通过与分子的碰撞将其电离，激发。PECVD的缺点表现在两个方面，一是它的不稳定性，二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体，它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态，反应器壁的薄膜附着，电源的波动，气体的流速都会改变活性粒子的种类和数量，并且等离子体的均匀性也难以控制，这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照，除了会影响沉积膜的质量，还会影响下面的硅衬底。光谱相应的研究结果表明对于蓝光区，HIT电池的光谱相应提高，而在红光区，光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果，而对于硅片内部的损伤，则对红光部分，光谱相应降低，量子效率下降。对于这种情况，可以下调等离子体的功率，但是同时也会降低等离子体的稳定性。
HWCVD制备a-Si:H薄膜
热丝化学气相沉积HWCVD是利用热丝对气体进行催化和分解的软性过程，不会产生高能粒子轰击，对衬底的损伤较小，可以容易的移入或者移出沉积室，能够方便从实验室转换到生产线上。
在HIT电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。
HIT电池工艺的改良方向
提高界面钝化效果
当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由10^11每平方厘米上升到10^12每平方厘米时，电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在而变差，这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。
光陷结构和表面清洗
将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀，这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低，接近抛光硅的效果。
栅电极的优化设计
如果可以去除栅线的延展部分，纵横比提高1.0以后，效率可以在提高1.6%。这取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。
